| 类型 | 描述 |
|---|
| 电源电压 | 2.70 V (min) |
| 封装 | FBGA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
S29GL01GS11DHIV10是一款1GB GL-SMirrorBit®Eclipse™闪存非易失性存储器, 采用65纳米工艺技术制造. 该器件的快速页访问时间快至110ns, 相应的随机访问时间低至90ns. 具有写入缓冲, 每次操作中最多可以编程256字/512字节, 从而比标准编程算法更有效地进行编程. 这使得该器件非常适合需要高密度, 高性能低功耗的嵌入式应用.
● 最高地址部分受保护
● Versatile I/O™ - 宽I/O电压范围, 1.65V至VCC
● 异步32字节页读取
● 暂停与恢复命令, 用于编程与擦除操作
● 状态寄存器, 数据轮询与就绪/忙碌引脚方法来确定设备状态
● 先进的扇区保护 - 每个扇区具有易失性和非易失性保护方法
● 通用闪存接口 (CFI)参数表
● 100000擦除周期 (典型值)
● 数据保留20年(典型值)
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
108 页 / 1.39 MByte
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
104 页 / 3.63 MByte
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL01GS11TFI010 闪存, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL01GS11DHI020 闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL01GS11TFIV10 芯片, 闪存, 或非, 1GB, TSOP-56
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL01GS11DHIV10 闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion（飞索半导体）
SPANSION S29GL01GS11DHI010 闪存, 或非, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
GL-S 系列 1G (64M x 16) 3.6 V MirrorBit® Eclipse™ 闪存 非易失性 存储器
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
闪存, 或非, 并行NOR, 1 Gbit, 64M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
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