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RTQ045N03TR
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RTQ045N03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSMT6
描述:2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
PDF文件:RTQ045N03TR 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

RTQ045N03TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)30.0 V
额定电流4.50 A
封装TSMT6
漏源极电阻420 mΩ
极性N-Channel
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)4.50 A
上升时间31.0 ns
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RTQ045N03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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RTQ045N03TR 数据手册

RTQ045N03TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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