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RTQ020N03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
分类:
MOS管
封装:
TSMT6
描述:
RTQ020N03TR 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
RTQ020N03TR 数据手册
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RTQ020N03TR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
2.00 A
封装
TSMT6
极性
N-Channel
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
30.0 V
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
11.0 ns
RTQ020N03TR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
RTQ020N03TR 符合标准
RTQ020N03TR 数据手册
RTQ020N03TR
其他数据使用手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.04 MByte
RTQ020N03TR
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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