| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.50 A |
| 封装 | TUMT3 |
| 漏源极电阻 | 180 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 800 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.50 A |
| 上升时间 | 12.0 ns |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.1Ω @-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| Features Low on-resistance. (570mΩ at 2.5V) High power package. High speed switching. Low voltage drive. (2.5V) 描述与应用| 低导通电阻。 （570mΩ在2.5V） 高功率封装。 高速开关。 低电压驱动
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低导通电阻。 （570mΩ在2.5V）高功率封装。高速开关。低电压驱动
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