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RQ3G100GNTB 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
分类:
MOS管
封装:
HSMT
描述:
ROHM RQ3G100GNTB 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
RQ3G100GNTB 数据手册
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RQ3G100GNTB 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
HSMT
极性
N-Channel
漏源极电压(Vds)
40V
连续漏极电流(Ids)
10A
RQ3G100GNTB 符合标准
RQ3G100GNTB 数据手册
RQ3G100GNTB
其他数据使用手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.35 MByte
RQ3G100 数据手册
RQ3G100
GNTB
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM RQ3G100GNTB 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V
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示例:
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