| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363/US6/SC70-6 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 22KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 22KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 200MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW/0.2W 描述与应用 Description & Applications | 开关,逆变器电路,接口电路和驱动电路的应用 在US6 z包括两个设备(超超级迷你类型与6领先) 内置偏置电阻 简化电路设计 减少数量的零部件和制造过程 技术文档PDF下载 | 在线阅读
Toshiba（东芝）
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