| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | ESM |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 50 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHZ 耗散功率Pc Power dissipation | 0.1W 描述与应用 Description & Applications | 开关,逆变器电路,接口电路 和驱动电路应用
Toshiba（东芝）
RN1102 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-523/ESM marking/标记 XB 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
Toshiba（东芝）
RN1102F 带阻尼NPN三极管 50V 0.1A R1=R2=10KΩ HEF=50 250MHZ SOT523 代码 XB
Toshiba（东芝）
RN1102MFV 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k 增益50 SOT-723/VESM marking/标记 XB 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用
Toshiba（东芝）
RN1102CT 20V 50MA R1=R2=10KΩ HEF=60 SOT883 代码 L1 带阻尼三极管
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