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RJP020N06T100
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RJP020N06T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-89
描述:ROHM  RJP020N06T100  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V
PDF文件:RJP020N06T100 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

RJP020N06T100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流2.50 A
封装SOT-89
漏源极电阻210 mΩ
极性N-Channel
功耗500 mW
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压60.0 V
连续漏极电流(Ids)2.50 A
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RJP020N06T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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RJP020N06T100 数据手册

RJP020N06T100 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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RJP020N06 数据手册

RJP020N06 数据手册
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RJP020N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 LS 低栅极电荷/最小化驱动器损失/DC-DC转换器
RJP020N06T100 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM  RJP020N06T100  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V
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