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RHP020N06T100
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RHP020N06T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-89
描述:4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
PDF文件:RHP020N06T100 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

RHP020N06T100 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)60.0 V
额定电流2.00 A
封装SOT-89
漏源极电阻240 mΩ
极性N-Channel
功耗500 mW
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压60.0 V
连续漏极电流(Ids)200 mA
上升时间10.0 ns
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RHP020N06T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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RHP020N06T100 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
5 页 / 1.01 MByte
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