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QS6M3TR
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QS6M3TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSMT
描述:ROHM  QS6M3TR  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V
PDF文件:QS6M3TR 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

QS6M3TR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电流1.50 A
封装TSMT
漏源极电阻260 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.25 W
漏源极电压(Vds)20.0 V
连续漏极电流(Ids)1.50 A
上升时间12.0 ns
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QS6M3TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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QS6M3TR 数据手册

QS6M3TR 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
8 页 / 0.08 MByte
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