类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 2.00 A |
封装 | TSMT5 |
漏源极电阻 | 110 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 900 mW |
漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
上升时间 | 10.0 ns |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
11 页 / 0.9 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
QS5U12 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 30V 2A 1A 0.45V SOT-153/SOT23-5/TSMT5 marking/标记 U12 DC-DC转换器/低导通电阻/高速切换/低驱动电压
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
场效应管, MOSFET, N, VGS -2.5V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件