| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -300 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300V |
| 集电极最大允许电流 | 0.05A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Reel |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| High Voltage Transistor PNP Silicon Features • Pb−Free Package 描述与应用| PNP硅高压晶体管 特点 •无铅封装
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZTA92 单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 50 MHz, 1 W, -500 mA, 25 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PZTA92 单晶体管 双极, PNP, 300 V, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE
Infineon（英飞凌）
PZTA92 PNP三极管 -300V -500mA/-0.5A 100MHz 40 -500mV/-0.5V SOT-223 marking/标记 PZTA92 高击穿电压
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR PZTA92T1G. 双极性晶体管, PNP, -50mA, -300V, SOT223
NXP（恩智浦）
NXP PZTA92,115 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 50 MHz, 1.2 W, -100 mA, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
PNP硅高压晶体管表面贴装 PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT
Nexperia USA
Nexperia PZTA92,115 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=300 V, HFE:25, 50 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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