| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP Silicon Epitaxial transistor i This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. • Complement to PZT2222AT1 • The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow 描述与应用| PNP硅外延晶体管 这PNP硅外延晶体管线性和开关应用中使用而设计的。该设备是设在SOT-223封装，是专为中等功率表面贴装应用。 •互补型PZT2222AT1 •SOT-223封装，可以焊接使用波或回流
ON Semiconductor（安森美）
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Siemens Semiconductor（西门子）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZT2907A 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 1 W, -800 mA, 100 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PZT2907A,115 单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 250 MHz, 1.15 W, -600 mA, 100 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE
ON Semiconductor（安森美）
PNP硅晶体管表面贴装 PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
ON Semiconductor（安森美）
PZT2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-223/TO-261AA marking/标记 2907A 开关和放大
NXP（恩智浦）
PZT2907A PNP三极管 -60V -800mA/-0.8A 200MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-223 marking/标记 2907A 通用放大器
ON Semiconductor（安森美）
PNP硅外延晶体管 PNP Silicon Epitaxial Transistor
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