| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 40.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | NPN, N-Channel |
| 功耗 | 1.00 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 1V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| NPN Silicon Switching Transistors High DC current gain: 0.1 mA to 500 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: PZT 2907 (PNP) PZT 2907 A (PNP) 描述与应用| NPN型硅开关晶体管 高直流电流增益：0.1 mA至500 mA的 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型：压电陶瓷2907（PNP） PZT2907 A（PNP）
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR PZT2222AT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZT2222A 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1 W, 1 A, 100 hFE
ON Semiconductor（安森美）
NPN硅平面外延型晶体管这NPN硅外延晶体管设计用于线性和开关应用。该设备是设中的采用SOT-223封装包是专为中等功率表面贴装的应用程序。
NXP（恩智浦）
NXP PZT2222A,115 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 200 MHz, 1.15 W, 600 mA, 100 hFE
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR PZT2222AT3G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 35 hFE
ON Semiconductor（安森美）
NPN硅晶体管表面贴装 NPN SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
Nexperia USA
PZT2222A 系列 40 V 600 mA 表面贴装 NPN 开关晶体管 - SOT-223-3
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