| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.00 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.40 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 2W Description & Applications| µTrenchMOS™ enhanced logic level FET Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Ultra low level threshold Surface mount package. 描述与应用| μTrenchMOS™增强逻辑电平FET 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™技术 超低水平阈值 表面贴装封装
NXP（恩智浦）
10 页 / 0.18 MByte
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.16 MByte
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.21 MByte
NXP（恩智浦）
NXP PMV45EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.5 V
Nexperia USA
单 N-沟道 30 V 5000 mW 6.3 nC 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-23
NXP（恩智浦）
PMV45EN2 系列 30 V 42 mOhm 表面贴装 N-沟道 Trench MOSFET - TO-236AB
NXP（恩智浦）
N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
Nexperia USA
晶体管, MOSFET, N沟道, 800 mA, 60 V, 0.3 ohm, 10 V, 1.7 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
