| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-363/SC70-6 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.49A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 490mA/0.49A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1.4Ω@ VGS =4.5V, ID =75mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1V 耗散功率PdPower Dissipation| 990mW/0.99W Description & Applications| Dual N-channel Trench MOS standard level FET Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Standard level threshold voltage Fast switching Low on-state resistance Dual device. Applications Driver circuits Switching in portable appliances 描述与应用| 双N沟道的海沟MOS标准水平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 表面贴装封装 底印比SOT23小40％ 标准电平阈值电压 快速开关 低通态电阻 双设备。 应用 驱动电路 在便携式电器开关
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PMGD780SN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V
Nexperia USA
双 N 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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PMGD780SN 复合场效应管 60V 490mA/0.49A SOT-363/SC70-6 marking/标记 D7 快速开关 驱动电路
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