| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 500mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 2.2KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.22 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 70 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W/250mW Description & Applications| Features • PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors • Built-in bias resistors n Reduces component count • Simplifies circuit design n Reduces pick and place costs • 500 mA output current capability n ±10 % resistor ratio tolerance Applications • Digital application in automotive and industrial segments • Cost-saving alternative for BC807 series in digital applications • Controlling IC inputs • Switching loads 描述与应用| 特点 •PNP500毫安，50 V电阻配备晶体管 •内置偏置电阻Ñ减少了元件数量 •简化电路设计n减少取放成本 •500 mA的输出电流能力n±10％电阻比例容差 应用 •数字应用在汽车和工业领域 •节省成本的替代BC807系列数字应用 •控制IC输入开关负载
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PDTB123YT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PDTB123YT 单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 250 mW, 50 mA, 70 hFE
Nexperia USA
Nexperia PDTB123ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia USA
Nexperia PDTB123YT,215 PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia USA
Nexperia PDTB123TT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP### 数字晶体管，NXP配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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