| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 200 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 100 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.2W/200mW Description & Applications| FEATURES • PNP resistor-equipped transistors • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Inverter and interface circuits • Circuit driver. 描述与应用| 特点 •PNP电阻配备晶体管 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本。 应用 •通用开关和放大 •逆变器和接口电路 •电路驱动。
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Nexperia USA
Nexperia PDTA143ET,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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NXP PDTA143XT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 50 hFE
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NXP PDTA143ZT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 100 hFE
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NXP PDTA143ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFE
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NXP PDTA143ZT 单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE
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NXP PDTA143EU,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-323
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NXP PDTA143XT 单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 50 hFE
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NXP PDTA143TE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 200 hFE
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