| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PBSS8110Z 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 650 mW, 1 A, 150 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS8110X,135 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS8110T,215 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 300 mW, 1 A, 150 hFE
Nexperia USA
PBSS8110X 系列 100 V 1 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
NXP（恩智浦）
NXP PBSS8110X 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE
Nexperia USA
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
PBSS8110Y - 100 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
NXP（恩智浦）
NXP PBSS8110T 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE
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