| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 1.35 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40V |
| 集电极最大允许电流 | 5A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 350 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -170mV/-0.17V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| 40 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • Low collect • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation. • NPN complement: PBSS4540Z. APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications • Strobe flash units • Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers) • MOSFET driver applications 描述与应用| 40伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 •低收集 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •提高设备的可靠性，由于减少热量的产生。 •NPN补充：PBSS4540Z。 应用 •供电线路开关电路 •电池管理应用 •DC / DC转换器应用 •闪光灯单元 •重载电池供电设备（电机和灯驱动器） •MOSFET驱动器应用
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5540Z,115 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 120 MHz, 1.35 W, -5 A, 350 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5540X,135 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 60 MHz, 550 mW, 5 A, 250 hFE
Nexperia USA
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5540Z 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 120 MHz, 1.35 W, 5 A, 350 hFE
Nexperia USA
NXP PBSS5540X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=40 V, HFE:50, 60 MHz, 4引脚 UPAK封装
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