| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 550 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -390mV/-0.39V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 550mW/0.55W Description & Applications | 50 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. • NPN complement: PBSS4350X. APPLICATIONS • Power management - DC/DC converters - Supply line switching - Battery charger - LCD backlighting. • Peripheral drivers - Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs). - Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors). 描述与应用 | 50伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 •SOT89（SC-62）封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力：IC和ICM •更高的效率，导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 •NPN补充：PBSS4350X。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器，在低电源电压应用（例如灯具和LED）。 - 感性负载驱动器（如继电器，蜂鸣器和电机）。
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5350Z 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5350Z,135 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 1.35 W, -3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5350X,115 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5350T 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 300 mW, 3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5350T,215 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5350D 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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