| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -390mV/-0.39V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| 30 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) and corresponding low RCEsat • High collector current capability • High collector current gain • Improved efficiency due to reduced heat generation. • NPN complement: PBSS4350T. APPLICATIONS • Power management applications • Low and medium power DC/DC convertors • Supply line switching • Battery chargers • Linear voltage regulation with low voltage drop-out 描述与应用| 30伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）和相应的低RCEsat •高集电极电流能力 •高集电极电流增益 •由于产生的热量减少，提高了效率。 •NPN补充：PBSS4350T。 应用 •电源管理应用 •低功率和中功率DC/ DC转换器 •供电线路开关 •电池充电器 •线性电压调节，低电压降
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NXP PBSS5350Z 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
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PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
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NXP PBSS5350Z,135 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 1.35 W, -3 A, 200 hFE
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NXP PBSS5350X,115 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 550 mW, -3 A, 200 hFE
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PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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NXP PBSS5350T,215 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 200 hFE
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NXP PBSS5350D 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE
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PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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