类型 | 描述 |
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引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23/SC-59 |
极性 | PNP, P-Channel |
功耗 | 300 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 20V |
集电极最大允许电流 | 2A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 220 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| 20 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat • High collector current capability • High collector current gain • Improved efficiency due to reduced heat generation. • NPN complement: PBSS4320T. APPLICATIONS • Power management applications • Low and medium power DC/DC convertors • Supply line switching • Battery chargers • Linear voltage regulation with low voltage drop-out 描述与应用| 20伏的低VCE(sat)的PNP晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 和 相应的低RCEsat的 •高集电极电流能力 •高集电极电流增益 •由于产生的热量减少,提高了效率。 •NPN补充:PBSS4320T。 应用 •电源管理应用 •低功率和中功率DC/ DC转换器 •供电线路开关 •电池充电器 •线性电压调节,低电压降
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
PBSS5320T 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-23-3
Nexperia USA
Nexperia PBSS5320T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
PBSS5320D PNP三极管 -20V -3A 100MHz 200 -400mV/-0.4V SOT23-6/SC-74 marking/标记 52 闪光灯/DC-DC转换器
NXP(恩智浦)
NXP PBSS5320X 晶体管,PNP SOT-89
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