| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| 40 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation • Enhanced performance over SOT23 1A standard packaged transistor. APPLICATIONS • General purpose switching and muting • LCD back lighting • Supply line switching circuits • Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices). 描述与应用| 40伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •提高设备的可靠性，由于产生的热量减少 •增强的性能超过SOT231A标准包装的晶体管。 应用 •通用开关和静音 •LCD背照明 •供电线路开关电路 •电池驱动设备（手机，摄像机和手持设备）。
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5140U 单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors
Nexperia USA
Nexperia PBSS5140U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:160, 150 MHz, 3引脚 UMT封装
Nexperia USA
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
NXP（恩智浦）
40伏的低VCEsat晶体管PNP晶体管 40 V low VCEsat PNP transistor
NXP（恩智浦）
40伏的低VCEsat晶体管PNP晶体管 40 V low VCEsat PNP transistor
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