| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PBSS5130PAP 单晶体管 双极, 双PNP, -30 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 120 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5130QA 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -1 A, 130 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5130T 单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 300 mW, 1 A, 450 hFE
Nexperia USA
Nexperia PBSS5130T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:201, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia USA
单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 170 MHz, 325 mW, -1 A, 130 hFE
Nexperia USA
单晶体管 双极, 双PNP, -30 V, 125 MHz, 2 W, -1 A, 120 hFE
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