| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -370mV/-0.37V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCE（sat ）and corresponding low RCE（sat） • High collector current capability • High collector current gain • Improved efficiency due to reduced heat generation. APPLICATIONS • Power management applications • Low and medium power DC/DC convertors • Supply line switching • Battery chargers • Linear voltage regulation with low voltage drop-out 描述与应用| 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）和相应的低RCE（饱和） •高集电极电流能力 •高集电极电流增益 •由于产生的热量减少，提高了效率。 应用 •电源管理应用 •低功率和中功率DC/ DC转换器 •供电线路开关 •电池充电器 •线性电压调节，低电压降
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PBSS4350T,215 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4350Z 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4350Z,135 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4350X,115 晶体管, BISS型, NPN, 50V, 3A, 3-SOT-89
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4350X 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 550 mW, 3 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4350T 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFE
Nexperia USA
NXP PBSS4350T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia USA
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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