| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 220 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 70mV~310mV 耗散功率PcPower Dissipation| 1.2W Description & Applications| 20 V NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat • High collector current capability • High collector current gain • Improved efficiency due to reduced heat generation. APPLICATIONS • Power management applications • Low and medium power DC/DC convertors • Supply line switching • Battery chargers • Linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package 描述与应用| 20 V NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 和 相应的低RCEsat的 •高集电极电流能力 •高集电极电流增益 •由于产生的热量减少，提高了效率。 应用 •电源管理应用 •低功率和中功率DC/ DC转换器 •供电线路开关 •电池充电器 •线性电压调节，低电压降 （LDO）。 说明 NPN低VCEsat 在SOT23塑料封装晶体管
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320T,215 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 300 mW, 2 A, 200 hFE
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PBSS4320X 系列 20 V 3 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
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NXP PBSS4320X 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 220 hFE
Nexperia USA
Nexperia PBSS4320T,215 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia USA
NXP PBSS4320X,135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=20 V, HFE:150, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4320T 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 2 A, 220 hFE
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