| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 550 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 70mV~310mV 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| 50 V, 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less heat generation • Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS • Power management – DC/DC converters – Supply line switching – Battery charger – LCD backlighting. • Peripheral drivers – Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs). – Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors). DESCRIPTION NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. 描述与应用| 50 V，2A NPN低VCEsat（BISS）晶体管 特点 •SOT89（SC-62）封装 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE监测 •高集电极电流能力：IC和ICM •更高的效率，导致产生的热量少 •减少印刷电路板的要求。 应用 •电源管理 - DC/ DC转换器 - 电源线开关 - 电池充电器 - LCD背光。 •外设驱动程序 - 驱动器，在低电源电压应用（如灯 和LED）。 - 感性负载驱动器（如继电器， 蜂鸣器和电机）。 说明 NPN低VCEsat 晶体管塑料封装为SOT89。
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4250X,115 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 550 mW, 2 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS4250X 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 550 mW, 2 A, 300 hFE
Nexperia USA
PBSS4250X 系列 50 V 2 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89
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