PBSS306NZ 数据手册 - NXP（恩智浦）

单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE

NXP  PBSS306NZ,135  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 700 mW, 5.1 A, 30 hFE

NXP  PBSS306PZ,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 700 mW, -4.1 A, 300 hFE

NXP  PBSS306PX,115  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE

NXP  PBSS306NX,115  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 110 MHz, 600 mW, 4.5 A, 40 hFE

单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 600 mW, -3.7 A, 300 hFE

Nexperia PBSS306NZ,135 , NPN 晶体管, 5.1 A, Vce=100 V, HFE:30, 110 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装

BJT TRANS BISS TAPE-7

NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors