| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 540 mA |
| 封装 | SOT-563 |
| 漏源极电阻 | 700 mΩ |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 250 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 漏源击穿电压 | 20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -6.00 V to 6.00 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 540 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流IdDrain Current| 540mA/0.54A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 900mΩ@ VGS =1.8V, ID =350mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.45~1V 耗散功率PdPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Small Signal MOSFET Features • Low RDS(on) Improving System Efficiency • Low Threshold Voltage • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • ESD Protected Gate • These are Pb−Free Devices Applications • Load/Power Switches • Power Supply Converter Circuits • Battery Management • Cell Phones, Digital Cameras, PDAs, Pagers, etc 描述与应用| 小信号MOSFET 特点 •低RDS（ON）提高系统效率 •低阈值电压 •小尺寸1.6×1.6毫米 •ESD保护门 •这些都是Pb-Free设备 应用 •负载/功率开关 •电源转换器电路 •电池管理 手机，数码相机，掌上电脑，传呼机等
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ON SEMICONDUCTOR NTZD3154NT1G. 场效应管, MOSFET
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