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NTZD3152PT1G
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NTZD3152PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-563
描述:20V,-430mA,双功率MOSFET
PDF文件:NTZD3152PT1G 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTZD3152PT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
额定电压(DC)-20.0 V
额定电流-430 mA
封装SOT-563
漏源极电阻1.00 Ω
极性P-Channel, Dual P-Channel
功耗250 mW
漏源极电压(Vds)-20.0 V
栅源击穿电压-6.00 V to 6.00 V
连续漏极电流(Ids)430 mA
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NTZD3152PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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NTZD3152PT1G 数据手册

NTZD3152PT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.09 MByte
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小信号MOSFET -20 V， -430毫安，双P通道带ESD保护， SOT- 563 Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563
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