| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.20 A |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 112 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 730 mW |
| 栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Bulk |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.07Ω @-1.6A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.40--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 730mW/0.73W Description & Applications| Features • Leading −20 V Trench for Low RDS(on) • −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive • SOT−23 Surface Mount for Small Footprint • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •领导-20 V沟道低的RDS（on） •-1.8 V额定低电压栅极驱动 •SOT-23表面贴装小尺寸 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 3.2 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -720 mV
ON Semiconductor（安森美）
沟槽功率MOSFET -20 V，单P沟道， SOT -23 Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23
ON Semiconductor（安森美）
沟槽功率MOSFET -20 V，单P沟道， SOT -23 Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23
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