| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.30 A |
| 封装 | SOT-23 |
| 漏源极电阻 | 220 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 400 mW |
| 漏源极电压(Vds) | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -12.0 V to 12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.30 A, 1.30 mA |
| 上升时间 | 15.0 ns |
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ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23
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