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NTLJD3119CTBG
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NTLJD3119CTBG 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:WDFN
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTLJD3119CTBG  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.6 A, 20 V, 37 mohm, 4.5 V, 700 mV
PDF文件:NTLJD3119CTBG 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTLJD3119CTBG 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装WDFN
极性N-Channel, P-Channel
功耗710 mW
漏源极电压(Vds)20.0 V
栅源击穿电压-8.00 V to 8.00 V
连续漏极电流(Ids)3.80 A, 4.60 A
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NTLJD3119CTBG 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Reel
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NTLJD3119CTBG 数据手册

NTLJD3119CTBG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.16 MByte
NTLJD3119CTBG 其他数据使用手册
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NTLJD3119CTBG 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
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NTLJD3119 数据手册

NTLJD3119CTBG 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTLJD3119CTBG  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.6 A, 20 V, 37 mohm, 4.5 V, 700 mV
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ON Semiconductor（安森美）
20V,4.6/-4.1A功率MOSFET
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