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NTJD4105CT2G
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NTJD4105CT2G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:SOT-363
描述:0.775A,20V,N/P沟道组合MOSFET
PDF文件:NTJD4105CT2G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTJD4105CT2G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电流630 mA
封装SOT-363
漏源极电阻360 mΩ, 510 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗270 mW
输入电容46.0 pF
栅电荷3.00 nC
漏源极电压(Vds)20.0 V
连续漏极电流(Ids)775 mA, 910 mA
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NTJD4105CT2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape
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NTJD4105CT2G 数据手册

NTJD4105CT2G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.14 MByte

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NTJD4105CT2G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
0.775A,20V,N/P沟道组合MOSFET
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