| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -3.00 A |
| 封装 | SOT283 |
| 漏源极电阻 | 200 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 1.10 W |
| 输入电容 | 300 pF |
| 栅电荷 | 6.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | -20.0 V |
| 栅源击穿电压 | -12.0 V to 12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.00 A, -2.20 A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| P沟道 P-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -12V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| -2.2A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 155mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-2.2A 耗散功率PdPower Dissipation| -0.6~-1.2V Description & Applications| 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes 描述与应用| 20V
ON Semiconductor（安森美）
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功率MOSFET和肖特基二极管 Power MOSFET and Schottky Diode
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