Datasheet 搜索 > MOS管 > ON Semiconductor（安森美） > NTHD3100CT1G Datasheet 文档
NTHD3100CT1G
来自 AiPCBA

NTHD3100CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:ChipFET
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTHD3100CT1G.  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷
PDF文件:NTHD3100CT1G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTHD3100CT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
额定电压(DC)20.0 V
额定电流2.90 A
封装ChipFET
漏源极电阻77.0 mΩ, 85.0 mΩ
极性N-Channel, P-Channel
功耗1.10 W
漏源极电压(Vds)20.0 V
连续漏极电流(Ids)3.90 A
查看数据手册 >

NTHD3100CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
查看数据手册 >

NTHD3100CT1G 数据手册

NTHD3100CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.14 MByte
NTHD3100CT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.47 MByte
NTHD3100CT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte
NTHD3100CT1G 其他参考文件
ON Semiconductor（安森美）
1 页 / 0.15 MByte

NTHD3100CT1 数据手册

NTHD3100CT1 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET的20 V ， 3.9一/-4.4 A，互补ChipFET Power MOSFET 20 V, +3.9 A /−4.4 A, Complementary ChipFET
NTHD3100CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTHD3100CT1G.  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 1206A, 整卷
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet