类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
额定电压(DC) | -20.0 V |
额定电流 | -1.00 A |
封装 | TSOP |
漏源极电阻 | 90.0 mΩ |
极性 | P-Channel |
功耗 | 500 mW |
漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
栅源击穿电压 | -8.00 V to 8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.65 A |
上升时间 | 23.5 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
包装方式 | Bulk |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.65A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 135mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -2.9A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.45~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Power MOSFET Features • Ultra Low RDS(on) • Higher Efficiency Extending Battery Life • Miniature TSOP−6 Surface Mount Package • Pb−Free Package is Available Applications • Power Management in Portable and Battery−Powered Products, i.e.:Cellular and Cordless Telephones, and PCMCIA Cards 描述与应用| 功率MOSFET 特点 •超低RDS(上) •更高的效率延长电池寿命 •微型TSOP-6表面贴装封装 •无铅包装是可用 应用 •电源管理在便携式和电池供电产品,即:蜂窝,无绳电话,PCMCIA卡
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-3.05A,-30V功率MOSFET和肖特基二极管
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功率MOSFET -20 V, -3.16 A单P沟道TSOP - 6 Power MOSFET -20 V, -3.16 A, Single P-Channel TSOP-6
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