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NTGD4167CT1G
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NTGD4167CT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TSOP
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTGD4167CT1G  Dual MOSFET, N and P Channel, 2.6 A, 30 V, 52 mohm, 4.5 V, 900 mV 新
PDF文件:NTGD4167CT1G 数据手册 (10 页)
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焊盘图
引脚图
产品图

NTGD4167CT1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装TSOP
极性N-Channel, P-Channel
漏源极电压(Vds)30.0 V
连续漏极电流(Ids)2.60 A
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NTGD4167CT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Reel
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NTGD4167CT1G 数据手册

NTGD4167CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.12 MByte
NTGD4167CT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
26 页 / 0.29 MByte
NTGD4167CT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.53 MByte

NTGD4167CT1 数据手册

NTGD4167CT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR  NTGD4167CT1G  Dual MOSFET, N and P Channel, 2.6 A, 30 V, 52 mohm, 4.5 V, 900 mV 新
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