| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 12.6 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2.10 W |
| 漏源极电压(Vds) | 25.0 V |
| 漏源击穿电压 | 25.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 45.0 A |
| 上升时间 | 19.5 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tape |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 25v \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage | -25v 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current | 45A 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage | 1~2v 耗散功率PdPower Dissipation | 1.5W Description & Applications | •Power MOSFET •Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss • Low Gate Charge • Optimized for High Side Switching Requirements in High−Efficiency DC−DC Converters 描述与应用 | •功率MOSFET •低的RDS（on）减少传导损耗 •低栅极电荷 •优化高效率的DC-DC转换器的高侧开关需求
ON Semiconductor（安森美）
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功率MOSFET 45安培， 25伏 Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts
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