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NTD3055L170-1G
来自 AiPCBA

NTD3055L170-1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:9A,60V,N沟道MOSFET
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NTD3055L170-1G 数据手册
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NTD3055L170-1G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)60.0 V
额定电流9.00 A
封装TO-252
漏源极电阻170 mΩ
极性N-Channel
功耗28.5 W
输入电容275 pF
栅电荷10.0 nC
漏源极电压(Vds)60V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压-15.0 V to 15.0 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A

NTD3055L170-1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube

NTD3055L170-1G 数据手册

NTD3055L170-1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.07 MByte
NTD3055L170-1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.11 MByte

NTD3055L1701 数据手册

NTD3055L170-1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
9A,60V,N沟道MOSFET
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