| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 9.00 A |
| 封装 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 漏源极电阻 | 170 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 28.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -15.0 V to 15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 9.00 A |
| 上升时间 | 69.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Bulk |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD3055-094T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.084 ohm, 10 V, 2.9 V
ON Semiconductor（安森美）
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104-1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 V 新
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 104 mohm, 5 V, 1.6 V
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR NTD3055-094-1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 12A, DPAK-3
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