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NTD20P06LT4G
来自 AiPCBA

NTD20P06LT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
PDF文件:NTD20P06LT4G 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTD20P06LT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)-60.0 V
额定电流-15.0 A
封装TO-252
漏源极电阻130 mΩ
极性P-Channel
功耗65.0 W
漏源极电压(Vds)-60.0 V, -1.20 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)15.5 A
上升时间90.0 ns
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NTD20P06LT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
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NTD20P06LT4G 数据手册

NTD20P06LT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.14 MByte
NTD20P06LT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.11 MByte
NTD20P06LT4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.02 MByte
NTD20P06LT4G 其他参考文件
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