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NTD20N06LT4G
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NTD20N06LT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06LT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
PDF文件:NTD20N06LT4G 数据手册
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTD20N06LT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流20.0 A
封装TO-252
漏源极电阻39.0 mΩ
极性N-Channel
功耗60.0 W
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压-15.0 V to 15.0 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A, 20.0 mA
上升时间98.0 ns
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NTD20N06LT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
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NTD20N06LT4G 数据手册

NTD20N06LT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
0.11 MByte
NTD20N06LT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
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NTD20N06LT4G 开发手册
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8 页 / 0.11 MByte
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