| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 39.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60.0 W |
| 输入电容 | 1.01 nF |
| 栅电荷 | 30.0 nC |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -15.0 V to 15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
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ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAK
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ON SEMICONDUCTOR NTD20N06T4G MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新
ON Semiconductor（安森美）
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功率MOSFET 20安培， 60伏逻辑电平， NA ????频道DPAK Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts Logic Level, NâChannel DPAK
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功率MOSFET 20安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, Logic Level
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