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NTD18N06LT4G
来自 AiPCBA

NTD18N06LT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新
PDF文件:NTD18N06LT4G 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NTD18N06LT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流18.0 A
封装TO-252
漏源极电阻54.0 mΩ
极性N-Channel
功耗55.0 W
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压-15.0 V to 15.0 V
连续漏极电流(Ids)18.0 A
上升时间79.0 ns
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NTD18N06LT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
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NTD18N06LT4G 数据手册

NTD18N06LT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.15 MByte
NTD18N06LT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.15 MByte
NTD18N06LT4G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte
NTD18N06LT4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte
NTD18N06LT4G 产品封装文件
ON Semiconductor（安森美）
16 页 / 0.82 MByte
NTD18N06LT4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.02 MByte

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