| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 68.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 214 W |
| 输入电容 | 1.20 nF |
| 栅电荷 | 46.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 27.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 30安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 30安培， 200伏 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts
ON Semiconductor（安森美）
功率MOSFET 30安培， 200伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N−Channel Enhancement−Mode D2PAK
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