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NJVNJD35N04T4G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
双极性晶体管
封装:
DPAK
描述:
NPN达林顿功率晶体管 NPN Darlington Power Transistor
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
NJVNJD35N04T4G 数据手册
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NJVNJD35N04T4G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DPAK
无卤素状态
Halogen Free
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
350V
集电极最大允许电流
4A
NJVNJD35N04T4G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
NJVNJD35N04T4G 符合标准
NJVNJD35N04T4G 数据手册
NJVNJD35N04T4G
开发手册
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.11 MByte
NJVNJD35N04T4 数据手册
NJVNJD35N04T4
G
数据手册
ON Semiconductor(安森美)
NPN达林顿功率晶体管 NPN Darlington Power Transistor
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STM32F103
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