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NID6002NT4G
来自 AiPCBA

NID6002NT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
描述:65V,6.5A,带过温和过流保护,N沟道FET
PDF文件:NID6002NT4G 数据手册 (6 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

NID6002NT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)65.0 V
额定电流6.50 A
封装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
漏源极电阻210 mΩ
极性N-Channel
功耗2.50 W
漏源极电压(Vds)60.0 V
漏源击穿电压70.0 V
栅源击穿电压-14.0 V to 14.0 V
连续漏极电流(Ids)11.0 A
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NID6002NT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Contact
包装方式Cut Tape (CT)
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NID6002NT4G 数据手册

NID6002NT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
6 页 / 0.06 MByte
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ON Semiconductor（安森美）
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自我保护FET的温度和电流限制 Self−Protected FET with Temperature and Current Limit
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ON Semiconductor（安森美）
65V,6.5A,带过温和过流保护,N沟道FET
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