增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor（安森美）
0.32 MByte
ON Semiconductor（安森美）
0.06 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT014 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 180 mohm, 10 V, 3 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT014L 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014L, 2.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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